Verarmungsgebiet oder Sperrschicht ist ein Gebiet in einer P-N-Übergangsdiode wo keine beweglichen Ladungsträger vorhanden sind. Die Verarmungsschicht wirkt wie eine Barriere, die dem Fluss von Elektronen von der n-Seite und Löchern von der p-Seite entgegenwirkt.
Was ist die Verarmungsregion eines pn-Übergangs?
Diese Raumladungszone auf beiden Seiten des Übergangs zusammen ist als Verarmungsgebiet bekannt, da die Elektronen und Löcher, die an der anfänglichen Bewegung über den Übergang teilnahmen, das Gebiet verarmten seiner kostenlosen Gebühren.
Was nennt man Sperrschicht?
In der Halbleiterphysik ist das Verarmungsgebiet, auch Sperrschicht, Verarmungszone, Übergangsgebiet, Raumladungszone oder Raumladungsschicht genannt, ein isolierendes Gebiet innerhalb eines leitfähigen, dotierten Halbleitermaterials, in dem die mobile Ladungsträger wurden wegdiffundiert oder durch ein… weggedrängt
Warum bildet sich im pn-Übergang eine Verarmungsschicht?
Die Bewegung von Elektronen zur p-Typ-Seite legt positive Ionenkerne auf der n-Typ-Seite frei, während die Bewegung von Löchern zur n-Typ-Seite negative Ionenkerne auf der p-Typ-Seite freilegt, was zu einem Elektronenfeld am Übergang führt und die Verarmungsregion bildet.
Was ist Verarmung in Halbleitern?
[dĭ-plē′shən] Ein Bereich in einem Halbleiterbauelement, normalerweise an der Verbindungsstelle von P-Typ- und N-Typ-Materialien, in dem weder ein Überschuss an Elektronen noch an Löchern vorhanden ist. Große Verarmungsregionen hemmen den Stromfluss.
