Wenn der BJT in Sättigung ist, bedeutet Vce(sat) die Spannungsdifferenz zwischen Kollektor und Emitter bei der Spezifikation. „Ic“aktueller Wert. Der Wert von Vce(sat) steht in Relation zu Ic(sat) und dem Kollektorwiderstand "rc ".
Wie hoch ist VCE, wenn ein Transistor gesättigt ist?
"Sättigung" in einem Transistorsch altkreis ist erreicht, wenn die Spannung am Kollektor/Emitter (VCE(sat)) kleiner oder gleich ist. 1 zu. 3 Volt - je nach Transistortyp.
Was ist der Wert von VCE?
Berechnen Sie Vce mit der Formel Vce=Vcc - [Ie(Rc + Re)]. Unter Verwendung der Zahlen aus den vorherigen Beispielen funktioniert die Gleichung wie folgt: Vce=12 - 0,00053 (3000 + 7000)=12 - 5,3=6,7 Volt.
Warum ist Vce sat 0,2 V?
Das liegt daran, dass beide Übergänge im Transistor bei Sättigung in Vorwärtsrichtung vorgespannt sind. Unter dieser Bedingung beträgt bei einem npn-Transistor die Spannung zwischen Emitter und Basis ~+0,7 V und zwischen Basis und Kollektor ~0,5 V (Basis p, Kollektor n).
Was ist der Wert von VCE am Rand der Sättigung?
warum wir VCE verwenden =0,3 V am Sättigungsrand und | Chegg.com.
